بررسی عددی آنتروپی تولیدی جریان نانوسیال در کانال سینوسی عمودی تحت میدان مغناطیسی
Authors
abstract
در این مطالعه آنتروپی تولیدی ناشی از جابجایی ترکیبی نانوسیال آب- al2o3 در یک کانال عمودی با دیواره های سینوسی تحت میدان مغناطیسی ثابت و یکنواخت به صورت عددی بررسی شده است. در این کار تاثیر پارامترهایی نظیر،کسر حجمی نانوذرات، دامنه ی موج سینوسی، عدد بی بعد رینولدز، عدد بی بعد گراشف و عدد بی بعد هارتمن مورد مطالعه قرار گرفت. این مطالعه با فرض جریان آرام، پایا و غیرقابل تراکم و خواص ترموفیزیکی ثابت برای نانوسیال انجام گرفته است. برای محاسبه تغییرات چگالی ناشی از نیروی شناوری از تقریب بوزینسک و برای شبیه سازی جریان از روش حجم محدود و مدل مخلوط دو فازی استفاده شده است. نتایج نشان می دهند که افزودن نانوذره به سیال پایه، موجب افزایش آنتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت و آنتروپی جریانی می شود. آنتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت با افزایش عدد رینولدز، کاهش و با افزایش عدد گراشف، افزایش می یابد، در حالیکه عکس این روند برای آنتروپی تولیدی ناشی از ویسکوزیته مشاهده می شود. بررسی اثرات شدت میدان مغناطیسی اعمال شده نشان داد که با افزایش شدت میدان مغناطیسی، آنتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت، ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. آنتروپی جریانی نیز با اعمال میدان مغناطیسی کاهش پیدا می کند. همچنین نتایج نشان داد که برای تمامی شدت میدان های مغناطیسی بررسی شده، موج دار کردن کانال، آنتروپی تولید شده را کاهش می دهد.
similar resources
بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل
در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و نانو ذره مس به آن افزوده می شود. از مدل ماکسول-گرانت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینکمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می شود. تغییر پارامترهایی نظیر اثر شکل هندسی ، درصد حجمی نانوسیال ،عدد بی بعد هار...
full textشبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی به روش شبکه بولتزمن
در این تحقیق، از مدل توابع توزیع دوتایی با ضریب تخفیف چندتایی روش شبکه بولتزمن برای شبیه‌سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی استفاده شده است. محفظه موردنظر دوبعدی بوده و حاوی نانوسیال آب-اکسید تیتانیوم می‌باشد. محفظه دارای زاویه ø نسبت به سطح افقی بوده و تحت یک میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفته است. روش عددی ارائه شده به ترتیب میدان جریان و میدان دما را با ا...
full textبررسی عددی انتقال حرارت اجباری سیالات مغناطیسی در لوله های مارپیچ تحت تأثیر میدان مغناطیسی در جریان آرام
full text
انتقال حرارت جابجایی توام نانوسیال در یک کانال مورب تحت میدان مغناطیسی
چکیده- جریان جا¬بجایی توام نانوسیال آب- مس در کانالی تحت تاثیر میدان مغناطیسی به روش عددی بررسی شده است. خطوط جریان، دما و میزان انتقال حرارت در قالب عدد نوسلت از طریق حل عددی معادلات نویر استوکس و معادله انرژی مدل شده است. در این مطالعه به بررسی پارامترهایی چون عدد ریچاردسون، عدد هارتمن، کسر حجمی جامد و زاویه کانال بر روی میدان جریان و میزان انتقال حرارت پرداخته شده است. نتایج بیانگر آن است که...
full textبررسی عددی جریان نوسانی نانوسیال در کانال مستطیلی شکل در حالت غیردائم
در این مقاله جریان آرام نوسانی نانوسیال عبوری از یک کانال مستطیلی با دیواره دمای ثابت را در حالت غیردائم به صورت عددی مورد مطالعه قرار داده ایم. برای این منظور دستگاه معادلات دیفرانسیل حاکم بر مدل دوبعدی جریان نانوسیال و انتقال حرارت در کانال به صورت جبری گسسته سازی شده و با استفاده از الگوریتم سیمپل حل شده است. تاثیر پارامترهای مختلفی از جمله فرکانس نوسانات، عدد رینولدز، دامنه نوسانات و همچنین...
full textمطالعه عددی جریان و انتقال گرمای یک نانوسیال مغناطیسی در کانال مارپیچ و در حضور میدان مغناطیسی
در این مطالعه، رفتار گرمایی و هیدرودینامیکی یک نانو سیال مغناطیسی (آب و 4? اکسید آهن) در یک کانال مستقیم عمودی و همچنین در یک کانال مارپیچ با سطح مقطع مربعی تحت میدان مغناطیسی متقاطع غیر یکنواخت به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. میدان مغناطیسی یاد شده توسط سیمی حامل جریان الکتریسیته ایجاد می شود که در فاصله ی مشخص و به موازات طولی کانال قرار می گیرد. از مدل دوفازی مخلوط و روش حجم محدود بر...
My Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
مهندسی مکانیک مدرسPublisher: دانشگاه تربیت مدرس
ISSN 1027-5940
volume 15
issue 9 2015
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023